第九届上海FD-SOI论坛今日于浦东喷鼻格里拉旅店召开，作为一年一度的FD-SOI全世界顶级嘉会，行业上下流也是悉数出席，作为该范畴的几年夜玩家，三星、ST及GlobalFoundries别离分享了最新的进展。

于2024年，FD-SOI几个年夜的技能里程碑包括：2c1esmc

除了了本年联手ST推出撑持ePCM的18FDS产物，这些年，三星一直于打磨本身的18FDS工艺，包括曾经在2019年及Arm建成为了其时业界第一个综合物理IP平台，包括一个位在18FDS(18nmFDSOI)的eMRAM编译器等。2c1esmc

近期的一个猛进步是将其植入NVM方案：2c1esmc

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三星电子18FDS工艺集成与项目司理JinhaPark夸大了三星18FDS的四年夜焦点上风：2c1esmc

他指出，当前FD-SOI工艺已经经成为主动驾驶、消费电子、通信、呆板人、工业及计较等范畴的优质选择。2c1esmc

比拟三星及ST力推18nm，GlobalFoundries(格罗方德)的NextGenFDX放于了12nm。2c1esmc

格罗方德亚洲区总裁兼中国区主席洪启财(KayChaiAng)指出，今朝格罗方德依然于踊跃优化22FDX的产能，好比将22FDX平台的出产地举行调解，从德国扩大到了马其他及纽约；同时，格罗方德也于优化22FDX工艺的多样性，并强盛生态体系。2c1esmc

他暗示，22FDX与3DHI技能联合后，仍有很年夜阐扬空间，同时可将裸片空间削减45%以上，例如：2c1esmc

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从其分享的FD-SOI线路图中可以看出，将来两年的重点仍是开发22FDX+的特征，eMRAM及eRRAM是两个重点标的目的。2c1esmc

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针对于线路图中的NextGenFDX，该公司产物线总监RubyYan明确向国际电子商情记者确认，下一代技能是12FDX，并指出公司会直接跳过18nm。2c1esmc

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如上图所示，比拟22nm，12nm的技能上风很是较着。2c1esmc

于论坛圆桌会商环节，主持人芯原股分开创人、董事长兼总裁戴伟平易近博士抛出一个问题“28nm、22nmFD-SOI工艺以后，是否还有需要推出12nmFD-SOI工艺?（单选）“2c1esmc

现场佳宾与不雅众跨越86%的人认为是有须要的。2c1esmc

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但再进一步问和“10nm“的须要性时，撑持率就年夜幅降落。2c1esmc

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究其缘故原由，笔者认为是戴博士提到的一个技能点“12nm是doublepattening“能做到的最末节点，下一步10nm和8nm就需要triplepatterning来实现了，成本应该是制约的重要因素。2c1esmc

于成本方面，IBS首席履行官HandelJones有一个更细节的分享，他指出22nmFD-SOI的成本将及28nmHKMG成真相近，而工艺继承向下的话，FD-SOI的成本将显著低在FinFET。好比，16nmFinFET芯片的成本比18nmFD-SOl芯片高20%；7nmFinFET芯片的成本比12nmFD-SOl芯片高24%。2c1esmc

于功耗方面，12nmFD-SOl的功耗比7nmFinFET低12%至16%；此外，12nmFD-SOl的射频毗连机能优在7nmFinFET。是以，对于在年夜大都运用，12nmFD-SOI的PPC优在7nmFinFET。2c1esmc

综合以上因素，他进一步认为FDSOI于“≥12纳米及≤28纳米“时优在CMOS及FinFET，这段工艺节点之间FDSOI具备精彩的PPC特征，且射频体现也很精彩；别的，再使用chiplet及非凡封装，12纳米FDSOI可撑持高机能数据中央及低功耗挪动运用。2c1esmc